Останнім часом особливий інтерес викликають структури з нетрадиційними не П-подібними квантовими ямами. До таких структур належать селективно-леговані гетероструктури з двомірним електронним газом, які використовуются у низькочастотній (НЧ) техніці. Особливий інтерес представляють гетероструктури, котрі містять дельта(d)-легований шар. Ці структури використовуються для створення НЧ транзисторів, в котрих потрібна висока рухливість електронів. d-шарами прийнято називати напівпровідники з гранично-неоднорідним характером легування, коли легуюча домішка, замість однорідного розподілу по об’єму напівпровідника, зосереджена у дуже вузьких шарах, які в ідеалі утворюють моношар. Заряд домішок, який неоднорідно розподілений у гетероструктурі з d-легованими шарами (d-надгратка) створює потенціальний рельєф.
|