Виберіть категорію
Оперативно
Львівські новини
Дрогобицькі новини
Наше опитування
Хмара
Для отображения Облака ссылок
необходим
Adobe Flash Player 9
или выше.
Статистика
Онлайн всього: 1
Гостей: 1
Користувачів: 0
Калькулятор
Життя сайту
| Головна » Файли » Мої файли |
Магістерська робота з фізики
| [ Викачати з сервера (406.5 Kb) ] | 05-01-2011, 15:34:57 |
| Однією з найбільш актуальних проблем фотоелектроніки є створення фотодетекторів і великоформатних матриць, що чутливі для середнього і далекого інфрачервоного (ІЧ) випромінювання на основі широкозонних напівпровідників. Перспективним напрямом у вирішенні проблеми є розробка ІЧ фотодетекторів на основі різного типу квантових ям та надграток, і передусім квантово-розмірних гетероструктур, зокрема селективно-легованих з двомірним електронним газом, які використовуються у надвисокочастотній (НВЧ) техніці. Особливий інтерес представляють гетероструктури, котрі у останні роки виникли на хвилі розвитку напівпровідникової технології, так звані d-леговані структури, які Döhlеr запропонував і теоретично вивчив ще на початку 70-х років. У процесі вирощування таких структур в монокристалічному напівпровіднику створюються d-леговані області з концентрацією легуючої домішки порядку 10 см-3 і товщиною порядку періоду кристалічних граток. Ці структури використовуються також для створення НВЧ транзисторів, в котрих потрібна висока рухливість електронів. В нашій роботі об’єктом дослідження вибрано кристалічну структуру, в якій матриця GaAs є періодично d-легована кремнієм (Si). Дану структуру ми досліджували методом деформаційного потенціалу, в рамках якого розв’язується рівняння Шредінгера та методом огинаючої функції. Метою дослідження був розрахунок коефіцієнта міжзонного поглинання. Для цього обчислювались матричні елементи імпульсу та енергетичний спектр носів. Встановлено залежність потенційного профілю та енергетичного спектру від напруження гетеромежі, котре виникає завдяки неузгодженості параметрів граток на межі розділу контактуючих компонент: кристалічна матриця і d-легуючий шар. Формування когерентної межі розподілу відбуваються за рахунок пружної деформації кристалічної гратки, так як товщина шару не перевищує критичного значення, при якому спостерігається пластична деформація з утворенням дислокацій невідповідності. Отримані результати добре погоджуються з описаними в літературі. | |
| Переглядів: 705 | Завантажень: 99 | Рейтинг: 5.0/1 | |
| Всього коментарів: 0 | |
