Вітаю Вас, Гість
Головна » Статті » Мої статті

ВПЛИВ НАПРУЖЕНОЇ ГЕТЕРОМЕЖІ НА МІЖЗОННЕ ПОГЛИНАННЯ СВІТЛА У СТРУКТУРІ З ПЕРІОДИЧНО
ВПЛИВ НАПРУЖЕНОЇ ГЕТЕРОМЕЖІ НА МІЖЗОННЕ ПОГЛИНАННЯ СВІТЛА У СТРУКТУРІ З ПЕРІОДИЧНО
d-ЛЕГОВАНИМИ ШАРАМИ С.В. Рудницький, Р.М. Пелещак Дрогобицький державний педуніверситет ім. І. Франка Однією з найбільш актуальних проблем фотоелектроніки є створення фотодетекторів і великоформатних матриць, що чутливі для середнього і далекого інфрачервоного (ІЧ) випромінювання на основі широкозонних напівпровідників [1]. Особливий інтерес в даній галузі представляють d-леговані гетероструктури. В нашій роботі об’єктом дослідження вибрано кристалічну структуру, в якій матриця GaAs є періодично d-легована кремнієм (Si). Оптичні властивості даної структури ми досліджували в рамках моделі деформаційного потенціалу, в основі якої розв’язується рівняння Шредінгера. Розрахунок коефіцієнта міжзонного поглинання проводився методом огинаючої функції. До сих пір потенціальний профіль моделювався лише електростатичним потенціалом [1], але завдяки неузгодження параметрів ґратки d-легуючого шару та шару матриці поблизу гетерограниці виникає деформаційний потенціал. Встановлено залежність потенційного профілю та енергетичного спектру від напруження гетеромежі та розраховано енергетичний спектр носіїв [2]. В даній роботі для переходів між квантовими станами в зоні провідності та валентній зоні коефіцієнт поглинання розраховувався за формулою: де Рmn(k//, kz) – матричний елемент оператора імпульсу між станами n-ї і m-ї підзон надгратки, .– параметр деформації. В результаті розв’язку даної задачі зроблено такі висновки: 1) енергія, яка випромінюється при міжзонних оптичних переходах спадає з ростом товщини шарів обох компонентів надгратки; 2) пік поглинання зсувається в сторону менших енергій при збільшенні періоду надгратки; 3) пік поглинання зсувається в сторону менших енергій при збільшенні деформації d-шару та зменшенні деформації матриці. 1. Шик А.Я. // ФТП.- 1992.- т.26, №12.- с. 1161-1179. 2. Рудницький С.В., Пелещак Р.М. // Вісник НУ "Львівська політехніка” "Електроніка». - 2001.– № 430.– с. 77–83.
Категорія: Мої статті | Додав: rustvi (05-01-2011)
Переглядів: 685 | Рейтинг: 5.0/1
Всього коментарів: 0
Ім`я *:
Email *:
Код *: